IR
Tipo del transistor	P-MOSFET
Polarizzazione	unipolare
Tensione drenaggio-fonte	-200V
Corrente di drenaggio	-6.8A
Potenza	125W
Corpo	TO220AB
Tensione porta-sorgente	±20V
Resistenza nello stato di conduzione	0.5Ω
Montaggio	THT
Carico della porta	44nC

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